г.Екатеринбург, ул.Бебеля, д.17, оф.518

+7(343) 381-88-69 (343) 382-01-32

тел/факс

ИНН 6658255545, КПП 665801001, р/с 40702810608140000034
в ОАО “РГС Банк”, к/с 30101810600000000972, БИК 046577972

Главная / Технологическое оборудование для микроэлектроники / Плазменные процессы / Плазмохимическое осаждение / Сравнительная таблица основных характеристик установок плазмохимического осаждения

Сравнительная таблица основных характеристик установок плазмохимического осаж...

арактеристика\Модель	Тип загрузки	Область загрузки (диаметр, мм)	Технология	Осаждение материала
Advanced Vacuum Vision 310 PECVD	Открытая/ Бокс	305	PECVD	SiO2, SixNy, SiOxNy, SiC, a-Si
Advanced Vacuum Vision 410 PECVD	Открытая	406	PECVD	SiO2, SixNy, SiOxNy, SiC, a-Si
Advanced Vacuum Apex SLR HDPCVD	Шлюз	200	HDPCVD	Низкотемпературное осаждение SiO2, SixNy, SiOxNy, SiC, a-Si
Plasma-Therm Versaline PECVD	Шлюз/ кассетная/ кластер	200	PECVD	SiO2, SixNy, SiOxNy, SiC, a-Si
Plasma-Therm Versaline HDPCVD	Шлюз/ кассетная/ кластер	200	HDPCVD	Низкотемпературное осаждение SiO2, SixNy, SiOxNy, SiC, a-Si
Plasma-Therm LAPECVD	Кассетная	Под заказ	PECVD	SiO2, SixNy,