Установка быстрого термического отжига RTP 150

1RTP 150   2RTP 150   3RTP 150

Установки UniTemp серии RTP предназначены для быстрой высокотемпературной обработки полупроводниковых пластин и плоских подложек. Настольные компактные установки RTP прекрасно подходят как для R&D-применений, так и для пилотного и мелкосерийного производства.

Установка RTP 150 позволяет работать с образцами до 150 мм в диаметре. Рабочая нагреваемая область: 156×156 мм. Загрузка подложек в рабочую камеру производится вручную. Максимальная температура процесса — до +1000 С. Максимальная скорость нагрева — до 75 К/с. Возможно проведение процессов в вакууме и газовой среде. Управление осуществляется при помощи встроенного микроконтроллера с сенсорным экраном.

Технические характеристики установки RTP 150

Максимальный размер подложки Диаметр 150 мм (6″) , рабочая область 156×156 мм
Материал камеры Кварцевое стекло (водоохлаждаемая камера)
Высота камеры 40 мм
Система загрузки подложек
  • Поддон из кварцевого стекла;
  • Опциональный держатель из пирографита или графита, покрытого SiC
Уровень вакуума
  • До 10-3 мбар
  • До уровня 10-6 мбар (модель RTP 150-HV)
Максимальная температура процесса До +1000 °С
Тип нагревателя ИК-лампы (общая мощность 21 кВт)
Зоны нагрева Верхняя и нижняя (программируемые)
Скорость нагрева До 75 K/с
Скорость охлаждения
  • От +1000 до +400 °С: 200 К/мин
  • От +400 до +100 °С: 30 К/мин
  • подложка охлаждается азотом
Температурный контроллер Встроенный
Используемые газы Азот, кислород, форминг-газ 
В базовой комплектации один РРГ 5 slm
Электропитание 3×32 А, 380 В, 3 фазы
Размер установки (Ш×Д×В) 505×504×420 мм (настольное размещение)
Вес печи 75 кг

Опции

  • Дополнительные газовые линии с РРГ (всего до 4 шт.)
  • Держатели подложек из кварца, пирографита, графита, покрытого SiC
  • Дополнительная термопара
  • Различные вакуумные насосы
  • Чиллер
  • Дополнительная рабочая камера

Сравнительная таблица основных характеристик установок быстрого термического отжига UniTemp серии RTP и VPO