Установка травления фотошаблонов Mask Etcher

me1   me2   me3   me4   me5

 

 

Plasma-Therm Mask Etcher — это установка, специально предназначенная для производства фотошаблонов высокого разрешения. Установка использует технологию индуктивно-связанной плазмы и позволяет получать элементы с топологическим размером менее 22 нм. Благодаря особой конструкции, Mask Etcher обладает набором уникальных технологических преимуществ, необходимых при производстве фотошаблонов:

  • Сохранение высокой степени чистоты камеры на протяжении всего срока эксплуатации.
  • Быстрое восстановление после чистки.
  • Стабильность параметров процесса не зависит от длительности эксплуатации.

Ключевые преимущества установки Mask Etcher:

  • Контроль равномерности процесса травления.
  • Производство фотошаблонов с наименьшим сдвигом минимального размера.
  • Высокая воспроизводимость результатов.
  • Высокая степень чистоты в камере.
  • Малое краевое размытие рисунка.
  • Возможность работы с такими материалами, как Cr, MoSi, кварц.

Основные технические характеристики установки Mask Etcher

Размер электрода От 11″ до 15,6″ в диаметре
Загрузка Автоматизированная загрузочная станция (ALS) 
Открыватель контейнера SMIF с буферной зоной
Система контроля На базе ControlWorks
Вакуумный насос Турбомолекулярный насос 1200 л/с
Газовые линии До 8 каналов с цифровыми РРГ
Система отслеживания окончания процесса (на базе EndPointWorks) Оптический эмиссионный интерферометр (OEI) 
Лазерный рефлектометр (LES)
ВЧ-генератор ICP: 2000 Вт, 2 МГц
Варианты установки Через стенку ЧПП
Электропитание 380 В, 50 Гц, 3 фазы
Сертификация CE, SEMI-S2, S8