Главная / Технологическое оборудование для микроэлектроники / Плазменные процессы / Плазмохимическое травление / Сравнительная таблица основных характеристик установок плазмохимического травления

Сравнительная таблица основных характеристик установок плазмохимического трав...

Характеристика\Модель Тип загрузки Область загрузки (диаметр, мм) Тип плазмы Травление материалов
Vision 320 RIE Открытая / Бокс 305 RIE SiO2, SixNy, GaAs, GaN, InP, InGaAs, резисты, полиимиды
Vision 322 PE/RIE Открытая / Бокс 305 PE/RIE SiO2, SixNy, GaAs, GaN, InP, InGaAs, Al, Cu, Ti, резисты, полиимиды
Vision 420 RIE Открытая 406 RIE SiO2, SixNy, GaAs, GaN, InP, InGaAs, резисты, полиимиды
Apex-SlR-ICP Шлюз 200 RIE-ICP GaN, GaAs, AlGaP, InP, InGaAs, HgCdTe, SiC, Al2O3, DLC, Si, SiO2, SixNy, Cr, Ti, Al, TiN, TiW, Mo, резисты, полиимиды
Versaline-RIE Шлюз/ кассетная/ кластер 200 RIE SiO2, SiNx, GaAs, GaN, InP, InGaAs, резисты, полиимиды
Versaline-RiE-ICP Шлюз/ кассетная/ кластер 200 RIE-ICP GaN, GaAs, AlGaP, InP, InGaAs, HgCdTe, SiC, Al2O3, DLC, Si, SiO2, SixNy, Cr, Ti, Al, TiN, TiW, Mo, резисты, полиимиды
Versaline-DSE Шлюз/ кассетная/ кластер 200 ICP Глубокое травление кремния