Главная / Технологическое оборудование для микроэлектроники / Плазменные процессы / Плазмохимическое осаждение / Сравнительная таблица основных характеристик установок плазмохимического осаждения

Сравнительная таблица основных характеристик установок плазмохимического осаж...

арактеристика\Модель Тип загрузки Область загрузки (диаметр, мм) Технология Осаждение материала
Advanced Vacuum Vision 310 PECVD Открытая/ Бокс 305 PECVD SiO2, SixNy, SiOxNy, SiC, a-Si
Advanced Vacuum Vision 410 PECVD Открытая 406 PECVD SiO2, SixNy, SiOxNy, SiC, a-Si
Advanced Vacuum Apex SLR HDPCVD Шлюз 200 HDPCVD Низкотемпературное осаждение SiO2, SixNy, SiOxNy, SiC, a-Si
Plasma-Therm Versaline PECVD Шлюз/ кассетная/ кластер 200 PECVD SiO2, SixNy, SiOxNy, SiC, a-Si
Plasma-Therm Versaline HDPCVD Шлюз/ кассетная/ кластер 200 HDPCVD Низкотемпературное осаждение SiO2, SixNy, SiOxNy, SiC, a-Si
Plasma-Therm LAPECVD Кассетная Под заказ PECVD SiO2, SixNy,